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第三代半导体功率器件的发展方向主要包括碳化硅和氮化镓
发布时间：
2022/12/12 20:08
第三代半导体产业技术创新经营战略（下称）在公布的（下称）中表示，以氮化硅、氮化镓为代表第三代半导体在新能源车、5G、太阳能发电、快速充电等领域持续取得突破，2020年全球第三代半导体销售市场将维持总体增长态势。
代半导体材料主要是由硅做成，广泛用于手机上、计算机等领域。比如说计算机和手机的处理器都采用这种硅基半导体技术。第二代半导体材料以氮化镓和锑化铟为代表，主要运用于卫星通讯、移动通信技术、导航栏等领域。第三代半导体要以氮化镓、氮化硅为代表化合物半导体，主要应用于光学、电力电子技术、微波射频等领域，如手机快充、新能源车、城市轨道、5G通信基站、航天航空等。
在接受记者采访时，目前在合理布局第三代半导体，早已发布氮化硅二极管试品。现阶段选用IDM方式，代表着覆盖半导体产业链中设计、生产制造、封装形式、检测等各个阶段。
以上人员进一步详细介绍，与前2代对比，第三代半导体的重要特征是带隙宽、高性价比。宽带隙就是指商品具有较高的穿透静电场、高导热系数、高电子密度、高饱和状态电子器件速率、高电荷密度和大功率容限的特征。因此第三半导体材料的范畴和情景更强。
第三代半导体适合于手机上、车辆、通信基站等。中国化合物半导体生产商，涉及到半导体材料衬底和外延性的生产，主要生产6英尺商品。许多还在研发中，一些商品早已开卖。
依据2020年汇报，功率器件又被称为电力电子器件，主要应用于变流器、功率放大电路、输出功率管理方法、变频式、变压器等领域，包含汽车电子产品、消费电子产品、电子计算机、工业控制系统、通信等。基本上用于全部电子制造行业。
现阶段，第三代半导体电力电子器件的发展方向主要包含氮化硅和氮化镓。氮化硅、氮化镓等第三代半导体以其高带隙和击穿场强，在功率半导体行业具备巨大运用发展潜力。氮化硅具备更高导热系数和更成熟的专业技术，而氮化镓具备电子迁移率高、饱和状态电子器件率大和成本较低的优势。它们不一样优点取决于应用领域的差异。
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