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普通晶闸管
真空闭管镓铝全扩散工艺;平板型陶瓷管壳冷压封装;引入场门极结构;双面冷却允许串并联;电流密度大;最低允许工作温度Tjmin=‐40℃。
快速晶闸管
真空闭管镓铝全扩散工艺;引入场门极结构;优良的动态特性;开关损耗低、速度快;平板型陶瓷管壳冷压封装;双面冷却允许串并联;最低允许工作温度Tjmin=‐40℃。
高频晶闸管
真空闭管镓铝全扩散工艺;引入场门极结构;优良的动态特性,适用频率2.5KHZ-20KHZ;平板型陶瓷管壳冷压封装;双面冷却允许串并联;最低允许工作温度Tjmin=‐40℃。
整流二极管
真空闭管硼铝全扩散工艺;平板型陶瓷管壳冷压封装;双面冷却;电流密度大;最低允许工作温度Tjmin=‐40℃。
快恢复二极管
真空闭管硼铝全扩散工艺;平板型陶瓷管壳冷压封装;双面冷却;反向恢复电荷小;具有快速软恢复特性;最低允许工作温度Tjmin=‐40℃。
高密度二极管
超小体积、超大电流;超薄硅片的精细制造、保护工艺;超薄管壳和无管壳封装;特殊的多层金属化欧姆接触;大功率雪崩特性。
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